電晶體依所加偏壓不同可分成三個工作區域 1飽和區saturation region 及 均為順偏 當電晶體給足夠大的 時已無法再增加 此時電晶體為飽和狀態將此時的 記錄為 為最大值. 以上兩項是電晶體在飽和區的特性將電晶體做為開關時時需要參考這項參數一般會希望這兩個電壓低一點比較好因為這代表電晶體開關的電阻較小且發熱較少 h FE DC Current Gain直流放大倍率.
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Ppt 2 1 半导体三极管 Bjt Powerpoint Presentation Free Download Id 5084660
2021-11-24 003219 1.
Bjt 飽和 區. 逆向飽和電流 IErec E B C 基極電子注入射極 電子位能分 佈 電洞位能分 WB 佈 復 合 復 合 射極電洞注入基極 射極的電洞注入基極的n型中性 區馬上被多數載體電子包圍 遮蔽然後朝集極方向擴散 同時也被電子復合 當沒有被復合的電洞到達BC接 面的空乏區時. Early Voltage 此效應對圖14-5之影響如圖14-7所示小訊號等效電路中輸出電阻rO之定義仿BJT為 14-6 圖14-7 飽合區VDS對iD. 飽和區 Satruation Region VDS.
飽和區操作中的BJT或MOSSaturated or Active Bipolar Transistors Saturated MOS 動態式CMOS Dynamic CMOS 二極體順向與逆向偏壓崩潰 Forward Biased Diodes. 來越大直到振幅達到飽和 OPA的正負飽和區而失真 2當Aβ1V f AβV i V i時形成等幅振盪則輸出電壓的振幅大 小固定維持連續的正弦波振盪輸出 3當Aβ. 空乏區電位越來越大多數載子就越不能流過接面導致多數載子之擴散現象更 加困難故稱為逆向偏壓但是這時候仍然有少數載子流過接面縱然逆向偏 壓繼續增加少數載子流也達到飽和而不會再增加稱為反向飽和電流is t vd nv 1 i is e.
Fet 放大器的特性分析與bjt 放大器的分析方式一樣可將信號 分成直流與交流成分再分別進行直流分析與交流分析fet放大 器的電路分析步驟 1直流分析首先找出直流偏壓電路的工作點並確認電晶體在線 性的飽和區工作. 逆向偏壓時形成極其微弱的漂移電流電流由N區流向P區並且這個電流不隨逆向電壓的增大而變化稱為逆向飽和電流reverse saturation current 這是因為逆向電流是由少數載子跨PN接面形成的因此其飽和值取決於少數載子的摻雜密度. 截止區如果雙極性電晶體兩個pn接面的偏壓情況與飽和區恰好相反那麼電晶體將處於截止區 在這種工作模式下輸出電流非常小小功率的矽電晶體小於1微安鍺電晶體小於幾十微安 4.
直流放大倍率的 FE 兩個字母一般為大寫如 H FE 或 h FE. 實驗證明它可以提高飽和電流降低飽和壓降12 6IGBT的主要I-V特性 IGBT你既可以把它當做一個MOSFET與PiN二極體串聯也可以當做是一個寬基區的PNP被MOSFET驅動Darlington結構 前者可以用來理解它的特性後者才是他的原理. VSD.
當MOSFET 在飽和區 時iD與VDS無關但事實 上MOSFET 的曲線斜率 並不為零當VDSVDSSAT 時反轉層密度變成零的 位置電流由D端到S端 因等效的通道長度減少 而產生通道長度調變 Channel Length Modulation此特性曲線類似BJT 的厄利效應Early Effect. 空乏區 L X ID VDS ID VDS VDSS 線性區飽和區 triode saturation c d 半導體物理與元件5-16 中興物理孫允武 當VGD Vt最靠近汲極的反轉層消失通道被夾止pinch off如果VDS繼 續增加VGD變得比Vt小靠汲極被夾止的區域DL會略微變大形成空乏. 飽和模式的操作 為了讓BJT 操作於主動區CBJ 必須反向偏壓 然而對於小的順向偏壓值而言pn-接面無法有效 的操作 因此即使v CB負值達到-04V之前npn 電晶體仍可 保持在主動模式操作 只有在達到此點之後二極體才會開始真正通導 29.
區vgd vgst又屶為主動區在虛線之左方為歐姆區vgd vgst下方則為專止區 歐姆區之輸出電流id與vgs和vds皆有關但已超出課程範圍故省略之有興趣同學 請參閱相關書籍 在夾止飽和區內的輸出電流id 具有定電流特性岬vds 大小無2 8-3 8-4.
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